صفحه محصول - پاورپوینت حافظه و منطق قابل برنامه ریزی

پاورپوینت حافظه و منطق قابل برنامه ریزی (pptx) 30 اسلاید


دسته بندی : پاورپوینت

نوع فایل : PowerPoint (.pptx) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد اسلاید: 30 اسلاید

قسمتی از متن PowerPoint (.pptx) :

فصل هفتم حافظه و منطق قابل برنامه ریزی حافظه دستگاه حافظه: دستگاهی است که می توان اطلاعات باینری را به آن منتقل کرد و در آن ذخیره نمود، و می توان در مواقع نیاز برای پردازش اطلاعات به آن دسترسی داشت. واحد حافظه: مجموعه ای از سلولها (فلیپ فلاپها) که قادر به نگهداری مقدار بزرگی از اطلاعات باینری است. در سیستمهای دیجیتال، دو نوع حافظه موجود است: Random-Access Memory (RAM) Read-Only Memory (ROM) حافظه 1- حافظه با دسترسی تصادفی (RAM) فرآیند انتقال اطلاعات به حافظه عمل نوشتن نام دارد. فرآیند انتقال اطلاعات از حافظه عمل خواندن حافظه نام دارد. حافظه ی فقط خواندنی (ROM): نمونه ای از ابزارهای منظقی قابل برنامه ریزی (PLD) است مثالهای دیگر: آرایه ی منطقی قابل برنامه ریزی (PLA) منطق آرایه ای قابل برنامه ریزی (PAL) آرایه ی گیتهای منطقی قابل برنامه ریزی در محل (FPGA) فرق PLA و PAL: PAL فقط شامل AND قابل برنامه ریزی است و OR ها ثابت هستند. در PLA می توان هم AND ها و هم OR ها را برنامه ریزی کرد. PLA یک مدار مجتمع از گیتهای منطقی است که اتصالات آنها قابل برنامه ریزی است. در این مدارها فیوزهایی وجود دارد که با سوزاندن آنها عملکرد مطلوب حاصل می شود. Random-Access Memory واحد حافظه: اطلاعات باینری را به صورت مجموعه ای از بیتها به اسم کلمه ذخیره می کند. کلمه ی حافظه: مجموعه ی صفر و یکهای موجود در هر کلمه بصورت یک عدد در مبنای 16یا یک یا چندین کاراکتر نمایش داده می شود. در حافظه ی اکثر کامپیوترها ، هر کلمه معادل 4 بایت یا 32 بیت است. memory content Random-Access Memory هر کلمه در حافظه دارای یک آدرس بین 0 تا 2k-1 است. k تعداد خطوط آدرس حافظه است. RAM : اعمال Read و Write برای ذخیره ی یک کلمه در حافظه: 1- آدرس کلمه را به خطوط آدرس اعمال کنید. 2- مقدار کلمه را به خطوط داده اعمال کنید. 3- ورودی write را فعال کنید. برای خواندن یک کلمه از حافظه: 1- آدرس کلمه را به خطوط آدرس اعمال کنید. 2- ورودی read را فعال کنید. اعمال Read و Write در RAM ورودی memory enable برابر یک و Read/Write برابر صفر قرار داده می شود. هر دو سیگنال باید به مدت 50ns در این وضعیت باقی بمانند. ورودی memory enable برابر یک و Read/Write برابر یک قرار داده می شود. حافظه داده ی کلمه ی انتخاب شده بوسیله ی آدرس را در مدتی کمتر از 50ns بعد از یک شدن memory enable روی خطوط خروجی داده قرار می دهد. انواع حافظه مدارهای مجتمع RAM به دو صورت در بازار موجود هستند: دینامیک و استاتیک RAM استاتیک (SRAM): از لچ هایی داخلی تشکیل شده که قادر به ذخیره سازی اطلاعات هستند. اطلاعات ذخیره شده تا هنگام وصل بودن منبع تغذیه واحد حافظه حفظ خواهند شد. RAM دینامیک (DRAM): اطلاعات باینری را بصورت بار روی خازن ترانزیستورهای CMOS ذخیره می کند. بار ترانزیستورها با گذشت زمان تخلیه خواهد شد و ترانزیستورها باید مرتباً شارژ شوند. این عمل refresh کردن حافظه ی دینامیک نام دارد و هر چند میلی ثانیه یکبار انجام می شود. مصرف توان DRAM کمتر است و می توان آنرا در سایزهای بزرگتر ساخت. استفاده از SRAM ساده تر و اعمال حافظه (خواندن و نوشتن) سریعتر هستند. حافظه ی پاک شدنی و ثابت RAM از نوع حافظه ی پاک شدنی است. یعنی بعد از قطع برق حافظه پاک می شود. حافظه ی ثابت اطلاعات خود را بعد از قطع برق نیز حفظ می کند. دیسک مغناطیسی: جهت میدان مغناطیسی نوع داده ی ذخیره شده را مشخص می کند. CD: دیسک فشرده از نوعی پلاستیک (پلی کربنات) است که اطلاعات بصورت دندانه هایی که با نواحی مسطح از هم جدا شده اند روی آن ذخیره شده است. ROM: این نوع حافظه فقط یکبار قابل نوشتن است و بعد از آن فقط قابل خواندن است.

فایل های دیگر این دسته