صفحه محصول - پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی (CNTFET) در 18 اسلاید

پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی (CNTFET) در 18 اسلاید (pptx) 18 اسلاید

دسته بندی : پاورپوینت

نوع فایل : PowerPoint (.pptx) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد اسلاید: 18 اسلاید

قسمتی از متن PowerPoint (.pptx) :

سمینار درس نانو الکترونیک ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی بسمه تعالی فهرست مقدمه ای بر نانولوله های کربنی روش های ساخت نانو لوله های کربنی CNTFET با گیت پشتی CNTFET با گیت بالا مشکلات CNTFET کاربردCNTFET در سنسور گاز نتیجه گیری 1 CNTFET با گیت دور نانو لوله مراحل ساخت CNTFETگيت دور نانولوله مقايسه پارامترهای كليدی ترانزيستورهای اثر ميدان مبتنی بر نانولوله های كربنی با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET بررسی تئوری جريان درين در ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربنی گيت کاربرد :ساخت گیت NOT با CNTFET اندازه بسیار کوچک قابلیت تحرک حامل ها بالاست انتقال حامل ها بصورت بالستیک صورت می گیرد نانو لوله چند جداره نانو لوله تک جداره نانو لوله های کربنی مزایای نانو لوله های کربنی 2 ن در این روش جریان بزرگی را از دو الکترود کربنی در فضای حاوی ماده پلاسما عبور می دهند .که این امر منجر به ایجاد جرقه در شکاف بین دو الکترود می شود .در این صورت بیش از 30 درصد خاکستر تولید شده نانو لوله های کربنی هستند. در این روش یک گاز حاوی کربن آن قدر گرم می شود تا ملکول های گاز شروع به تجزیه شدن ،کنند.در این حالت یک زیرلایه در حضور کاتالیزگر در معرض گاز قرار می گیرد .اتم های کربن بر روی زیرلایه و در نزدیکی دانه بلور نیمه رسانا (seed) که از قبل بر روی زیر لایه قرار داده شده جمع می شوند و تا وقتی که زیرلایه در معرض گاز باشد رشد نانولوله های کربنی ادامه دارد این روش مشابه روش اول است با این تفاوت که در این روش از لیزر برای بمباران کردن یک هدف گرافیتی استفاده می شود. با تغییر دمای واکنش و میزان کاتالیزگرها می توان قطر نانو لوله تولید شده را کنترل کرد. روش های ساخت نانو لوله های کربنی تخلیه الکتریکی پلاسما نشست شیمیایی بخار تبخیر لیزر 3 در ترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتی مشخصه انتقالی مانند ترانزیستورMOSFET نوع p است. 3 تمامی ترانزیستورهای روی یک ویفر بطور همزمان خاموش و روشن می شوند چون دارای گیت یکسان هستند. ضخامت لایه اکسید زیاد است واز طرفی فرآیند تولید به گونه ای است که سطح تماس نانولوله کربنی با اکسید گیت کم بوده و برای خاموش روشن کردن قطعه با ولتاژ کم مشکل ایجاد می کند. 4 در هندسه ترانزيستورهای گيت بالايی كه اولين بار توسط Bachtold وهمکارانش ارائه شده است ، برای بهره بيشتر ، نانولوله های كربنی به طور كامل درون عايق گيت قرار داده می شود . برخلاف ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله كربنی گيت پشتی ، می توان تعداد زيادی از اين نوع ترانزيستور را روی يك ويفر ساخت ، به دليل اينکه گيت های هر يك به صورت مجزا می باشد . همچنين با توجه به ضخامت كم دی الکتريك گيت ، ميدان الکتريکی بزرگتری را می توان با يك ولتاژ كم روی نانولوله كربنی ايجاد كرد . با وجود روند ساخت پيچيده تر نسبت به ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله كربنی گيت پشتی ، مزايا فوق باعث می شوند كه اين نوع ترجيح داده شوند ترانزیستور اثر میدانی با نانو لوله کربنی با گیت بالا 5 ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله های كربنی گيت دور نانولوله قرار دادن گيت در اطراف و در تمام نانولوله كه باعث بهبود عملکرد می شود ، در سال 2011 شناخته و توسعه داده شد .ابتدا نانولوله كربنی كه دارای پوشش عايق است روی ويفر قرار داده می شود كه اتصال فلزی سورس و درين در دو طرف آن قرار داده می شود، سپس برای مشخص كردن و جدا كردن ناحيه سورس و درين ، si زير نانولوله كربنی زادیش كرد . این زدایش كردن تا رسيدن به عايق بستر ادامه پيدا می كند . سپس با استفاده از موادی كه ضريب دی الکتريك بالايی دارند ، عايق بين گيت و سورس و درين ايجاد شده و همچنين فلزی روی اين عايق جهت اتصال بهتر فلز گيت به نانولوله كربنی قرار داده می شود. 6 مراحل ساخت ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله های كربنی گيت دور نانولوله 7