پاورپوینت مراحل ساخت

پاورپوینت مراحل ساخت (pptx) 22 اسلاید

دسته بندی : پاورپوینت

نوع فایل : PowerPoint (.pptx) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد اسلاید: 22 اسلاید

قسمتی از متن PowerPoint (.pptx) :

بنام خدا مراحل ساخت مراحل ساخت مراحل ساخت خانواده های مختلف گیت های منطقی متفاوت است. در اینجا مراحل ساخت CMOS بعنوان نمونه توضیح داده میشود. ماده اولیه ساخت مدارات مجتمع سیلیکون خالص است که بصورت تک کریستالی رشد داده میشود. استوانه حاصل گاهی تا 100 کیلوگرم وزن دارد. این استوانه به ورقه های نازکی بریده میشود که ویفر نامیده میشوند. قطر ویفرها 200 تا 300 میلیمتر و ضخامت آنها 1 میلیمتراست. مراحل ساخت CMOS ویفر سیلیکونی با افزودن ناخالصی به ویفر نوع P تغییر داده میشود. اینکار به روشهای مختلفی انجام میشود: ion implantation or solid-state diffusion, oxidation در مراحل مختلف ساخت، لایه های مختلفی نظیر عایقها، پلی سیلیکون و سیمها بر روی ویفر نشانده میشوند. طرح های لازم برای ساخت قسمت های مختلف ترانزیستور و یا سیمها از طریق فرایندی با نام فتو لیتوگرافی تولید میشوند. مراحل اصلی ا فرایند ساخت مدارات مجتمع را میتوان بصورت زیر عنوان نمود: Ion Implantation (Diffusion) Oxidation Thin Film Deposition (Polysilicon, Metal, Silicon Dioxide, Silicon Nitride) Etching Pattern Transfer by Photolithography سطح مقطع یک ترانزیستور CMOS مراحل ساخت CMOS برای ساخت یک گیت CMOS باید هر دو نوع ترانزیستور NMOS و PMOS بر روی یک ویفر ساخته شوند. از اینرو اگر برای مثال از ویفر p استفاده شود، ترانزیستور NMOS بر روی ویفر و ترانزیستور PMOS در ناحیه ای ساخته میشود که N-well نامیده میشود. N-well با افزودن ناخالصی متضاد در بخشی از ویفر ساخته میشود. CMOS Process A Not to scale! فرایندهای ساخت ترانزیستور Photolithography در مراحل مختلف ساخت مدارات مجتمع لازم است تا قسمتهائی از سطح ویفر توسط یک ماسک نوری پوشانده شود تا یک فرایند خاص روی قسمت های پوشیده نشده انجام شود. تکنیک ایجاد این ماسک را فتولیتوگرافی مینامند. مراحل مختلف فتولیتوگرافی